設備リスト

SiO2,Si3N4絶縁膜のドライエッチングが可能である。

化合物材料のドライエッチングが可能である。

SiO2,Si3N4絶縁膜を基板上に形成することができる。

主にシリコン表面を高精度にエッチング加工できる。

レジスト材料等に対し、電子線ビーム照射による微細パターンの描画が可能である。

レジスト材料等に対し、電子線ビーム照射による微細パターンの描画が可能である。

イオンビームにより試料の微細加工を行う装置。10-40kVの可変加速電圧により、粗加工、及び仕上げ加工の両方が可能になっている。

InAs量子ドットを用いた光通信用半導体レーザーの作製をする事ができる。

ZnSe，ZnOなどのII‐VI族化合物半導体の結晶成長をする事ができる。

ZnSSe/MgSSe系DBRを用いたマイクロキャビティの作製をする事ができる。

基板上にSiO2膜を形成することが可能である。

光源にマルチミラーランプハウスを用い，均一性の高い照度分布特性を持った露光装置である。

３つの蒸発源と電子銃を備えた真空蒸着装置で，金属，半導体，無機絶縁物の蒸着ができる。

基板上に金属等の薄膜を形成させることが可能である。

エキシマランプによる真空紫外露光とエキシマアッシングを行うことが可能である。

高品質な２次元電子系を成長できることで世界的に定評のある装置です。試料サイズは２インチ基板上への成長が基本で、１／４にカットしたサイズも成長できます。

分子の赤外線吸収スペクトルの測定を行う装置。物質の同定、分析などが可能。

分子の紫外・可視・近赤外光における吸収スペクトルの測定を行う装置。物質の同定、分析などが可能。

試料表面にX線を照射した際に放出される電子のエネルギーを解析する装置で、表面の構成元素やその結合状態に関する情報が得られる。

試料にX線を照射し、入射角度を変化させながら、反射強度を測定することにより、試料の結晶構造を知ることができる。

４結晶モノクロメーターを用いて高分解能でX線回折測定ができる。

回転体陰極を用いたX線源と２次元検出器により，短時間に試料からのX線回折特性を評価出来る。

試料表面を収束電子線で走査し、放射する電子線を画像化する装置。表面構造の解析に用いる。

共焦点レーザ顕微鏡。試料の一部分に焦点を絞ってレーザーをあてて、発生させた蛍光を検出することにより、試料の３次元構造を解像度よく構築する顕微鏡。

試料表面を収束電子線で走査し、放射する電子線を画像化する装置。表面構造の解析に用いる。

試料表面を収束電子線で走査し、放射する電子線を画像化する装置。表面構造の解析に用いる。低真空型で、低導電性試料表面の観察にも用いる。

先端を鋭く尖らせた探針を試料表面に近づけ、あるいは接触させて、試料表面を走査することで表面の物性、形状を調べる装置。

2台の高エネルギーイオン加速器と超高分解能超高圧電顕を連結した，マルチビーム型超高圧電子顕微鏡システム、点分解能0.12nm

1300kVの超高分解能超高圧電子顕微鏡、点分解能0.3nm

6検体の試料の前処理と気体吸着測定・データ解析を各試料独立に全自動で行う装置で，固体試料の比表面積や細孔分布などをもとめ ることができる。

AFMなどの走査型プローブ顕微鏡計測装置である。表面凹凸構造をナノメートルの分解能でイメージングすることが可能となる。